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科技 | 中国团队在芯片领域获重要突破：省电耐用反复开关超千亿次
中国科学院半导体研究所的研究人员最近研制出一种新型“铁电隧穿结”，用原子层之间不到一纳米的微小滑移，就实现了约1900 万倍的开关电阻差，并可在反复开关超过1000 亿次后依然稳定工作。这为打造更省电、更耐用的存储芯片，以及存算一体芯片，提供了一条新路径。
标签: 芯片领域科技 发布时间: 2026-09-16
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科技 | 可批量制造！我国高性能光子芯片领域取得突破
当前，以硅光技术和薄膜铌酸锂光子技术为代表的集成光电技术是应对集成电路芯片性能提升瓶颈问题的颠覆性技术。其中，铌酸锂有“光学硅”之称，近年间受到广泛关注，哈佛大学等国外研究机构甚至提出了仿照“硅谷”模式来建设新一代“铌酸锂谷”的方案。
标签: 高性能光子芯片芯片领域 发布时间: 2024-05-13
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科技 | 清华大学获芯片领域重要突破！
记者11日从清华大学获悉，针对大规模光电智能计算难题，清华大学电子工程系副教授方璐课题组、自动化系戴琼海院士课题组，摒弃传统电子深度计算范式，另辟蹊径，首创分布式广度光计算架构，研制大规模干涉-衍射异构集成芯片太极（Taichi），实现160 TOPS/W的通用智能计算。
标签: 清华大学芯片领域 发布时间: 2024-04-12
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