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抗反射电磁屏蔽结构及其制备方法

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  • 2020114227618

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专利号 2020114227618 专利名称 抗反射电磁屏蔽结构及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类
申请人 申请地址
发明人 申请日期 2020-12-08
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 08:43:20
专利摘要 本发明涉及一种电磁屏蔽结构及其制备方法,尤其是一种抗反射电磁屏蔽结构及其制备方法。按照本发明提供的技术方案,所述抗反射电磁屏蔽结构,包括衬底以及设置于所述衬底上的纳米森林结构,在所述纳米森林结构上设置金属薄膜,且纳米森林结构上所有的金属薄膜相互连接呈一体。本发明得到的电磁屏蔽结构具有较大的电导率以及低反射率,有效实现电磁屏蔽,与现有工艺兼容。

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