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专利号	2018105150431	专利名称	一种全电极凸纹结构CMUT器件的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类
申请人	岭南师范学院	申请地址
发明人	余远昱	申请日期	2018-05-25
下证状态	未知	更新时间	2025-01-13 08:00:59
专利摘要	本发明涉及电子科学与技术的技术领域，更具体地，涉及一种全电极凸纹结构CMUT器件的制备方法，将高浓度掺杂的硅晶圆作为基底，使用表面微加工技术和电镀工艺，依次在基底上制备绝缘层、空腔、振动薄膜、凸纹结构的圆环，全覆盖于振动薄膜的顶电极、底电极极板及导线，完成全电极凸纹结构CMUT器件的制备。本发明制备的全电极凸纹结构CMUT器件，在塌陷工作模式下能有效提升输出声压从而达到增加超声波发射功率的效果；该制备方法技术成熟，适合大批量制造。该发明可用于生物医学检测、工业无损探伤等使用超声检测领域中超声换能器的加工制造，并将推进基于CMUT器件的超声探头技术的发展与应用，具备广阔的市场应用前景。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件