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一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2024114291294
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2024114291294 | 专利名称 | 一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H10H 20/821 (2025.01),H10H 20/812 (2025.01),H10H 20/815 (2025.01),H10H 20/816 (2025.01),H10H 29/01 (2025.01),H10H 20/825 (2025.01),H10H 20/818 (2025.01),H10H 29/30 (2 |
| 申请人 | 南京信息工程大学 | 申请地址 | 江苏省南京市江北新区宁六路219号 |
| 发明人 | 赵见国,张玉尧,武志勇,徐儒,常建华 | 申请日期 | 2024-10-14 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-10-07 17:55:47 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法，其结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN基复合缓冲层、N型GaN层、含有微孔阵列的掩膜层、六方密堆积的N型GaN六角岛结构、在N型GaN六角岛上制备的量子阱、载流子调控层和P型In<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;N层等。其中六方密堆积的N型GaN六角岛与量子阱构成了微型LED显示单元的发光结构，以独立台面结构为单元可以避免刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高亮度；以六方密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上的有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。该结构有效抑制了传统GaN基微型LED制备工艺对光效的负面影响，对GaN基微型LED显示器的发展具有重要意义。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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