发明专利
专利类型已下证
专利状态2019101772346
专利号| 专利号 | 2019101772346 | 专利名称 | InGaN基LED外延片及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L33/32(2010.01),H01L33/14(2010.01),H01L33/00(2010.01) |
| 申请人 | 申请地址 | 510006广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院 | |
| 发明人 | 申请日期 | 2019-03-08 | |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-09-28 18:01:22 |
| 专利摘要 | 本发明提供了一种InGaN基LED外延片及其制备方法,其中InGaN基LED外延片包括:衬底;InGaN层片,形成于所述衬底的一侧表面,其In含量在40%至90%之间,以确保所述LED外延片能够发射长波长光或近红外射线;p型金属氧化物层片,形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上,以用作对所述InGaN层片的空穴注入层。由于p型金属氧化物(特别是Cu2O)可以容易地实现高p型导电性,实现很高的空穴迁移率,因此本发明中的p型金属氧化物层片可以有效地用作InGaN层片的空穴注入层,从而避免使用现有技术中的宽带隙低In含量的p型InGaN或纯GaN作为空穴注入层。 | ||

| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||


专利状态:已下证
专利类型:发明专利
询价
专利状态:已下证
专利类型:发明专利
询价
专利状态:已下证
专利类型:实用新型
询价
专利状态:已下证
专利类型:发明专利
询价您的咨询我们已收到,稍后会有专业顾问与您联系。