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专利号	2021115245463	专利名称	一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L51/00(20060101)
申请人	无锡学院	申请地址	江苏省无锡市锡山区锡山大道333号
发明人	杨成东	申请日期	2021-12-14
下证状态	未知	更新时间	2026-09-03 17:50:49
专利摘要	本发明公开了一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法，包括均匀涂抹有机半导体材料于下基板上；在下基板上构建用于有机半导体材料结晶的矩形生长空腔；在第一温度下，矩形生长空腔内的有机半导体材料预结晶生成母版；在第二温度下，母版再结晶，即得。本发明通过升华法预生长有机晶态薄膜，并且可以通过温度和时间来精确控制晶态薄膜的层数，进一步加热再生长可以获得大面积的单层二维有机半导体晶态薄膜。相较于其他的二维有机半导体晶态薄膜生长方法，它的制备成本更低，要求的操作水平更低，更重要的是，制备的晶态薄膜面积大，该方法可能满足于不同功能应用中可调形态有机半导体生长。

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	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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