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一种室温铁磁性半导体及其制备方法、用途

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专利号 2022102476021 专利名称 一种室温铁磁性半导体及其制备方法、用途
专利类型 发明专利 国际分类 C01B35/04(2006.01),C01G23/047(2006.01),B22F1/054(2022.01),B22F9/24(2006.01),B01J23/44(2006.01),B01J23/50(2006.01),B01J23/46(2006.01),B82Y40/00(2011.01),B82Y30/00(2011.01)
申请人 申请地址 310018 浙江省杭州市钱塘区下沙高教西区2号大街928号浙江理工大学
发明人 申请日期 2022-03-14
下证状态 未知 更新时间 2026-09-13 17:18:22
专利摘要 本发明涉及催化剂领域,本发明公开了一种室温铁磁性半导体及其制备方法、用途。该室温铁磁性半导体呈颗粒状,包括过渡金属硼化物载体,包覆于过渡金属硼化物载体表面的过渡金属氧化物层,以及负载于过渡金属硼化物载体表面或内部的纳米金属颗粒。本发明室温铁磁性半导体的铁磁性具有本征特性,且可通过和负载纳米金属颗粒的金属‑载体强相互作用进行磁性的调控,使得纳米金属颗粒和过渡金属硼化物载体在高温处理过程中可形成稳定的核壳结构,保证纳米金属颗粒具有优良的抗烧结性能;也可通过二次煅烧来提升室温铁磁性半导体本身的磁性。并且,该材料经外加磁场磁化后,其电催化性能明显提高。

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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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