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一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2021113252848
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2021113252848 | 专利名称 | 一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C30B29/40(20060101),C30B25/12(20060101),C30B25/14(20060101) |
| 申请人 | 南通大学 | 申请地址 | 江苏省南通市啬园路9号 |
| 发明人 | 杨培培 | 申请日期 | 2021-11-10 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2026-09-13 17:18:22 |
| 专利摘要 | 本发明涉及一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法，在氢化物气相外延生长氮化镓晶体装置中，通常衬底被固定在石墨托上，氯化镓与氨气在氮气载气作用下从低温区流向高温区的衬底面，进行结晶生长。生长区的气相饱和度受氮气载气流量、生长区装置的结构等影响导致生长的氮化镓晶体厚度明显不均匀。本发明采用带有石墨镂空围栏的石墨托，可以减小气相的涡旋流动速度，增大气相饱和度及其均匀性，并且在氯化镓的进气口增加半侧喇叭形开口，氨气进气口增加全喇叭形开口，可以降低气流速度并增加衬底表面气相的均匀性。本发明结构简单，增加了衬底上气相饱和度和均匀性，提高了氮化镓晶体生长效率，生长的氮化镓晶体表面更为平整且厚度均匀。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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