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专利号	2023100789810	专利名称	一种半导体器件制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C23C16/455,H01L21/205,H01J37/32,C23C16/505,C23C16/52
申请人	赵君超	申请地址	河北省石家庄市栾城区窦妪镇北赵村平安街1排2号
发明人	赵君超	申请日期	2023-02-08
下证状态	未知	更新时间	2026-09-13 17:18:22
专利摘要	本发明属于半导体制备技术领域，尤其涉及一种半导体器件制备方法，包括以下步骤：步骤一：将处理装置与射频匹配器连通；步骤二：使多根能够通入不同成膜气体的管道与处理装置连接；步骤三：使用多根管道向处理装置内通入成膜气体；步骤四：使用处理装置对成膜气体进行均匀混合，并对成膜气体进行过筛；步骤五：从处理装置排出的成膜气体进入射频匹配器内，射频匹配器对成膜气体进行电离；步骤六：经过电离后的成膜气体沉积在晶圆上形成半导体，所述处理装置包括处理盒,处理盒内固接有连杆,连杆上转动连接有扇叶,处理盒内固接有滤板,处理盒上转动连接有转杆，能够在对气体进行混合过程中监测设备运行情况，及时发现设备故障。

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