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专利号	2020108114769	专利名称	一种抗紫外线超疏水防冻材料及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C04B41/91(2006.01),C04B41/87(2006.01)
申请人	西藏大学	申请地址	850000 西藏自治区拉萨市江苏路36号
发明人	王世锋	申请日期	2020-08-13
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-13 17:18:22
专利摘要	本发明提供了一种抗紫外线超疏水防冻材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在纳米二氧化硅片材表面刻画栅格，然后置于缓冲氧化物蚀刻液中再用有机溶剂清洗，最后浸入蚀刻液一中，得蚀刻后纳米二氧化硅；将蚀刻后纳米二氧化硅蜡烛煅烧，然后真空干燥，再煅烧，得二氧化硅基质；将纳米二氧化钛糊状前体浇筑在二氧化硅基质表面，然后依次经烧结和冷却，得抗紫外线超疏水防冻材料。本发明还包括采用上述方法制得的抗紫外线超疏水防冻材料。本发明制备流程简单，所得抗紫外线超疏水防冻材料具有较好的超疏水性能、抗冻性和防紫外线功能，表面耐磨损，有效解决了现有技术中易磨损破碎、使用期限较短和难以满足使用需求等问题。

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