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一种基于SVM的IGBT芯片焊接层空洞定位方法

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专利号 2022111439318 专利名称 一种基于SVM的IGBT芯片焊接层空洞定位方法
专利类型 发明专利 国际分类 G06F30/398,G06N20/10,G06F119/08N,G06F113/18N
申请人 三峡大学 申请地址 湖北省宜昌市西陵区大学路8号
发明人 智李 申请日期 2022-09-20
下证状态 未知 更新时间 2026-09-13 17:18:22
专利摘要 一种基于SVM的IGBT芯片焊接层空洞定位方法,首先通过建立IGBT模块的电热仿真模型与SPICE电路模型,通过耦合得到场路耦合模型后将场路耦合模型中焊接层均分为多个故障区域,然后对每个故障区域分别进行空洞故障模拟并基于联合仿真计算得到IGBT芯片的影响因子,再构建故障区域编号‑影响因子数据集,以该数据集中的影响因子作为输入数据、故障区域编号作为输出数据,采用非线性能力较强的SVM算法解析输入数据与输出数据之间的映射关系,从而实现对IGBT焊接层空洞定位。本方法以关断时间、结温、集电极与发射极的压降差作为影响因子,共同判断空洞的位置,使空洞定位结果更准确。

交易流程

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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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