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一种区熔-定向凝固炉及半导体热电材料的合成方法

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专利号 201910640926X 专利名称 一种区熔-定向凝固炉及半导体热电材料的合成方法
专利类型 发明专利 国际分类 C30B13/28
申请人 江阴市赛贝克半导体科技有限公司 申请地址 江苏省无锡市江阴市澄江中路159号D座401
发明人 徐岭 申请日期 2019-07-16
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-13 17:18:22
专利摘要 本发明公开了一种区熔‑定向凝固炉及半导体热电材料的合成方法,合成方法包括:区熔‑定向凝固竖直区熔方法;启动加热体加热材料到设定温度;启动变频振动器调制熔体质量传输和热传递;调节加热体提升装置的移动速度和调节温度梯度;退火处理。本发明利用区熔和定向凝固相结合的晶体生长方法,通过变频振动频率、加热体竖直向上移动速度和温度三个参数的耦合调制控制晶体的成核和生长过程,获得在350K‑500K温区范围材料ZT值达1.7的纳米晶粒镶嵌的碲化铋基棒状热电材料;本发明所合成的热电材料对提高半导体温差电器件性能有巨大的促进,可广泛应用于高效废热回收和活性点温度管理等领域。  

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身份证
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