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一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用

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专利号 2023105699685 专利名称 一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C01G 53/04 (2006.01),C01G 11/02 (2006.01),G01N 27/12 (2006.01)
申请人 江西师范大学 申请地址 江西省南昌市高新技术开发区紫阳大道99号
发明人 杨勇,俞挺,梁艳,袁彩雷,龚吴非,尧慎曼 申请日期 2023-05-19
下证状态 未知 更新时间 2026-09-13 17:18:22
专利摘要 本发明属于纳米材料异质结技术领域,具体涉及一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用。其包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiO/CdS异质结阵列;所述衬底为Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;气敏基片;所述NiO/CdS异质结阵列由NiO纳米片和CdS纳米颗粒构成,其中NiO纳米片为垂直交错生长的阵列结构,CdS纳米颗粒均匀的分散在NiO多孔纳米片表面。本发明的制备过程简单,成本低,本发明制备得到的NiO/CdS异质结阵列具有良好的异质界面接触,并且NiO/CdS异质结阵列中CdS纳米颗粒的尺寸和分布密度可以方便的调控,此外,NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列可以应用在在室温气体传感中,具体在绿光激发下三乙胺的室温高选择性检测。

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