发明专利
专利类型未知
专利状态2023105699685
专利号| 专利号 | 2023105699685 | 专利名称 | 一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C01G 53/04 (2006.01),C01G 11/02 (2006.01),G01N 27/12 (2006.01) |
| 申请人 | 江西师范大学 | 申请地址 | 江西省南昌市高新技术开发区紫阳大道99号 |
| 发明人 | 杨勇,俞挺,梁艳,袁彩雷,龚吴非,尧慎曼 | 申请日期 | 2023-05-19 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2026-09-13 17:18:22 |
| 专利摘要 | 本发明属于纳米材料异质结技术领域,具体涉及一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用。其包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiO/CdS异质结阵列;所述衬底为Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;气敏基片;所述NiO/CdS异质结阵列由NiO纳米片和CdS纳米颗粒构成,其中NiO纳米片为垂直交错生长的阵列结构,CdS纳米颗粒均匀的分散在NiO多孔纳米片表面。本发明的制备过程简单,成本低,本发明制备得到的NiO/CdS异质结阵列具有良好的异质界面接触,并且NiO/CdS异质结阵列中CdS纳米颗粒的尺寸和分布密度可以方便的调控,此外,NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列可以应用在在室温气体传感中,具体在绿光激发下三乙胺的室温高选择性检测。 | ||

| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||


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