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一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2018111325378
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 2018111325378 | 专利名称 | 一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C23C16/02,C23C16/26,C23C16/505 |
| 申请人 | China Three Gorges University CTGU | 申请地址 | 湖北省宜昌市西陵区大学路8号 |
| 发明人 | 姜礼华;田海燕;彭宇;汪涛;肖婷;向鹏;谭新玉 | 申请日期 | 2018-09-27 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-09-05 17:03:17 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法。该方法以射频等离子体增强化学气相沉积技术作为石墨烯量子点固态膜生长方法，以高纯乙烯作为石墨烯量子点生长的碳源气体，以硅烷混合气和高纯氮气分别为石墨烯量子点的生长提供硅元素修饰和氮元素修饰。相对于目前常用的石墨烯量子点制备方法，如电化学法、水热法、酸氧化法、溶液化学法以及微波超声等方法，该方法的突出优点是石墨烯量子点不是以液态和胶体态的形式存在，而是以固态膜的形式存在且制备工艺同传统半导体工艺相兼容。本发明所提出的这种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法能使石墨烯量子点在太阳能电池、光电探测器以及发光二极管等半导体器件中得到很好的应用。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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