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专利号	2018112429891	专利名称	一种高性能晶体管及其制造方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L29/778,H01L23/373,H01L21/335
申请人	深圳市华讯方舟智能信息技术有限公司	申请地址	广东省深圳市宝安区西乡街道臣田社区臣田工业区37栋107
发明人	张宇	申请日期	2018-10-24
下证状态	未知	更新时间	2026-10-15 17:56:33
专利摘要	本发明属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管及其制造方法，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂GaN层第一表面；源电极和漏电极间隔设置在AlGaN层第一表面；栅极设置在AlGaN层第一表面的源电极和漏电极之间区域；由于通过键合和衬底移除技术将AlGaN/GaN器件转移到高导热多晶衬底材料上，有效提高了器件在高频应用时散热性能，从而提高器件及其应用的系统的可靠性；增加了产品的市场竞争力。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件