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一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法

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专利号 2021106377143 专利名称 一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C09K11/88(2006.01),B82Y20/00(2011.01),B82Y30/00(2011.01),B82Y40/00(2011.01)
申请人 南通大学 申请地址 226000江苏省南通市啬园路9号
发明人 张雷;王超男 申请日期 2021-06-08
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-09 17:08:05
专利摘要 本发明公开了一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法,将CdSe/CdS核壳量子点通过正丁醚进行经提纯后,采用乙醇胺对其表面改性,再包覆无机ZnO溶胶作为表面配体,得到无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点。本发明无机量子点的制备方法,可以有效解决传统胶体量子点表面有机配体存在的问题,进而增强量子点的光学性能及其稳定性,而且仍可稳定分散于有机溶剂,保持基于各种溶液环境的量子点光电器件的制备优势。本发明提出的制备方法简单且高效,有利于促进量子点光电器件商业化应用。

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