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专利号	2021114532757	专利名称	一种Si5C3微纳米材料及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C01B32/97(2017.01),B82Y40/00(2011.01)
申请人	陕西科技大学	申请地址	710021 陕西省西安市未央区大学园
发明人	张利锋	申请日期	2021-11-30
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-13 17:18:22
专利摘要	本发明提供一种Si5C3微纳米材料及其制备方法，属于微纳米材料合成领域。以氧化硅粉为硅源，以腐植酸碳源，添加氯化钠等辅助试剂于管式炉中加热到500‑700℃，然后直接冷却或保温后冷却至室温，最后经除杂干燥制得Si5C3纳米粒子组装的微米片。该种方法产率高，反应温度低，反应时间短，节约能源，可重复性好，操作简单、无污染、辅助反应的反应物和生成物易清除，有利于该类Si5C3微纳米材料的大量生产。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件