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一种图案化4H-SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2022109947800
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2022109947800 | 专利名称 | 一种图案化4H-SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L31/18(2006.01),H01L31/101(2006.01),H01L31/0312(2006.01),H01L21/3063(2006.01),H01L21/306(2006.01),B82Y40/00(2011.01) |
| 申请人 | 申请地址 | 710021 陕西省西安市未央区大学园 | |
| 发明人 | 申请日期 | 2022-08-18 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2026-09-11 17:14:51 |
| 专利摘要 | 本发明提供一种图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件，将4H‑SiC晶片进行p型掺杂，并干法氧化，得到覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片；将聚苯乙烯微球溶液旋涂在覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片上，加热使聚苯乙烯微球缩小并自组装形成单层膜，蒸镀沉积金，去除聚苯乙烯微球，得到具有金纳米图案的4H‑SiC晶片；将其与铜板接触作为阳极，在三电极系统中外加脉冲电流对具有金纳米图案的4H‑SiC晶片进行刻蚀处理，在晶片上形成图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜，剥离图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜。本发明制备出有序的、图案化的纳米线阵列薄膜，缺陷少，经图案化后具有较高的分辨率。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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