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一种GOQDs@PDA-ir-MIP分子印迹荧光传感器及其制备方法与应用

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专利号 2020103559728 专利名称 一种GOQDs@PDA-ir-MIP分子印迹荧光传感器及其制备方法与应用
专利类型 发明专利 国际分类 C09K11/65(20060101),C09K11/02(20060101),G01N21/64(20060101),B82Y20/00(20110101),B82Y30/00(20110101)
申请人 上海应用技术大学 申请地址 上海市奉贤区海泉路100号
发明人 李原婷 申请日期 2020-04-29
下证状态 未知 更新时间 2026-08-24 18:01:14
专利摘要 本发明涉及一种GOQDs@PDA‑ir‑MIP分子印迹荧光传感器及其制备方法与应用,制备方法为:以多巴胺作为功能单体,以抗生素分子作为模板分子,在碱性环境下于羧基氧化石墨烯量子点表面发生自聚合,得到GOQDs@PDA‑MIP,后经浓缩、洗脱,即得到GOQDs@PDA‑ir‑MIP分子印迹荧光传感器。与现有技术相比,本发明制备的传感器不仅集合了羧基氧化石墨烯量子点优秀的光学性能和分子印迹聚合物的特异性识别能力的双重优势,更是让分子印迹聚合壳层为量子点提供了保护层,使其物化性质更加稳定,并且具有制备过程简单、检测速度快、无需样品前处理、绿色环保、成本低廉等优点,表现出广阔的应用前景。

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专利证书原件
身份证
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