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专利号	2022101055951	专利名称	一种高线性度的GaNHEMT射频功率器件
专利类型	发明专利	国际分类	H01L29/06(2006.01),H01L29/417(2006.01),H01L29/423(2006.01),H01L29/778(2006.01)
申请人		申请地址
发明人		申请日期	2022-01-28
下证状态	未知	更新时间	2026-10-21 19:08:11
专利摘要	本发明公开了一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件，包括依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层、阻挡层、保护层，在保护层的上方设置源极、栅极和漏极；其中，所述保护层形成L形槽，所述源极设置在L形槽的顶部使源极端口和栅极端口在水平空间上相互错开。采用本发明的技术方案，将保护层做成一个L形槽，使得源极端口往竖直方向抬升，达到Source端口的底部与Gate端口的顶端齐平，从而根本上消除了Cgs的存在，Δ随着输出功率增加时，Cgs不再影响Δ值的变化，从而缓解了Δ值远离0的趋势，有效的改善了器件线性度。

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