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一种低介低损Ba-Si-B-M基LTCC材料及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2022100262615
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2022100262615 | 专利名称 | 一种低介低损Ba-Si-B-M基LTCC材料及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C04B35/16(2006.01),C04B35/622(2006.01),C04B35/64(2006.01) |
| 申请人 | 申请地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | |
| 发明人 | 申请日期 | 2022-01-11 | |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-09-15 17:19:02 |
| 专利摘要 | 本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si4+离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的晶格能高这一特性，通过调整Ba‑Si基陶瓷原料配方，采用固相法，在850℃～950℃的低温下烧结成型致密的Ba‑Si‑B‑M基微波陶瓷材料。在烧结过程中形成低共熔化合物，从而推动晶粒重排，并且随着烧结的进行析出BaSi2O5相的陶瓷；并且没有二次相，确保了陶瓷材料的介电性能和机械性能优异，具有高Q×f值，6～7.5的低介电常数，介电损耗低至6.13×10‑4，可在LTCC中推广应用。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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