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专利号	2018101859557	专利名称	一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法
专利类型	发明专利	国际分类	C04B35/565(2006.01),C04B35/63(2006.01),C04B35/622(2006.01),C04B38/06(2006.01)
申请人	海南大学	申请地址	570228海南省海口市美兰区人民大道58号
发明人	向道平	申请日期	2018-03-07
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-15 17:19:02
专利摘要	本发明属于晶硅废砂浆二次利用技术领域，公开了一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法。本发明利用晶硅废砂浆固体废料为主要原料，通过较低温无压烧结，850℃下即可在碳化硅表面原位生长莫来石棒，进而制备出具有高气孔率和高强度的碳化硅多孔陶瓷，最终实现了晶硅废砂浆固体废料的二次利用和低成本制备碳化硅多孔陶瓷的目标。本发明充分利用资源，变废为宝；在使用传统烧结助剂的同时加入了催化剂，使得烧结温度大幅下降，从而减少了能源消耗和降低了制造成本。

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