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专利号	2020103147465	专利名称	多面体硅晶的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C01B33/02(2006.01),C01B33/021(2006.01)
申请人	华东交通大学	申请地址	330013江西省南昌市经济技术开发区双港东大街808号
发明人	程自强	申请日期	2020-04-17
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-15 17:19:02
专利摘要	本发明公开了一种多面体硅晶的制备方法，属于多硅晶制备技术领域。所述制备方法为：以硅粉和硫粉的混合物为原料，以单质碘为输运剂；将原料和输运剂一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，后经高温反应；将步骤二所得产物取出，经洗涤除去残留的碘，即可得到所述多面体硅晶。本发明的制备方法新颖独特、简单高效，以硅粉，硫粉，碘等材料，通过高温反应即可完成多面体硅晶的制备，制备的硅晶形貌可控，晶体质量较硅粉原料有极大的提高，副产物为另一种重要的工业原料二硫化硅，这对于高晶体质量的多面体硅晶的简单制备具有重要意义。

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