发明专利
专利类型未知
专利状态201910734502X
专利号| 专利号 | 201910734502X | 专利名称 | 便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L23/538(20060101),H01L21/768(20060101),B82Y30/00(20110101) |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | 申请地址 | 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |
| 发明人 | 赵文生 | 申请日期 | 2019-08-09 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2026-10-21 19:08:11 |
| 专利摘要 | 本发明公开便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺。包括硅衬底、介质层、半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管、金属焊盘;所述的硅衬底开有两个通孔,通孔由半导体性碳纳米管层,以及分别设置在半导体性碳纳米管层两侧的金属性碳纳米管层构成,且半导体性碳纳米管层完全阻隔两金属性碳纳米管层;硅通孔外周设置有介质层;金属性碳纳米管层的上下两端设有金属焊盘。本发明可以减少三维集成电路差分传输结构中的硅通孔数量,显著缩小了差分传输结构的尺寸并且减少了其占用面积,有效提高了芯片面积的利用率;用碳纳米管束作为传输通道填充材料,具有优越的力学性能、电学性能和热学性能。 | ||

| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||


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