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一种高介复合LTCC材料的制备方法及系统

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专利号 2024112162852 专利名称 一种高介复合LTCC材料的制备方法及系统
专利类型 发明专利 国际分类 C04B 35/495 (2006.01),C04B 35/622 (2006.01),C04B 35/64 (2006.01)
申请人 电子科技大学长三角研究院(湖州) 申请地址 浙江省湖州市吴兴区西塞山路819号科技创新综合体B1幢
发明人 苏桦,侯靖润,简贤,王俊伟 申请日期 2024-09-02
下证状态 未知 更新时间 2026-09-15 17:19:02
专利摘要 本发明属于电子功能陶瓷材料及其制造技术领域,公开了一种高介复合LTCC材料的制备方法及系统。本发明提供的高介低损耗LTCC材料,采用适量的LiNb<subgt;0.6</subgt;Ti<subgt;0.34</subgt;(Cu<subgt;1/3</subgt;Nb<subgt;2/3</subgt;)<subgt;0.16</subgt;O<subgt;3</subgt;和LiBa<subgt;3</subgt;Nb<subgt;3</subgt;Ti<subgt;5</subgt;O<subgt;21</subgt;进行复合,并借助少量的同样含Li离子的LiF来进行掺杂助熔。由于LiNb<subgt;0.6</subgt;Ti<subgt;0.34</subgt;(Cu<subgt;1/3</subgt;Nb<subgt;2/3</subgt;)<subgt;0.16</subgt;O<subgt;3</subgt;和LiBa<subgt;3</subgt;Nb<subgt;3</subgt;Ti<subgt;5</subgt;O<subgt;21</subgt;材料都具有高介和低损耗的特性,前者具有负的谐振频率温度系数,后者具有正的谐振频率温度系数,将两种预烧料按适当比例复合,如果复合过程中不产生其他另相,完全可以将谐振频率温度系数进行调零,并且仍然能维持高的介电常数和Qf值。同时采用少量也包含Li离子的LiF来进行助熔,研究发现这种助熔剂对于本发明中的这种复合材料体系有很好的包容性,可以有效将材料体系的烧结温度降低至900℃而对其电性能几乎无明显影响。

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