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一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法

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  • 2014101920044

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专利号 2014101920044 专利名称 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L31/18
申请人 徐州新南湖科技有限公司 申请地址 江苏省徐州市云龙区汉源大道西绿地商务城LOFTC幢
发明人 黄延伟 申请日期 2014-05-07
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-07 17:12:38
专利摘要 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法。本发明将硫化锌粉末在15MPa下保持10s压实成薄圆柱形片,直径1.3cm,厚度2mm,然后在氮气保护下800<sup>o</sup>C或1000<sup>o</sup>C度烧结,待温度降为室温取出,放入电子束蒸发镀膜系统所带的铜坩埚内,以充满铜坩埚的三分之二为宜,在普通玻璃衬底上进行电子束蒸发镀膜,制备ZnS薄膜,通过改变适当的电子束流、束流扫描范围、蒸发高压、蒸发压强、蒸发时间、基板温度以及后退火处理温度等条件制备了具有纤锌矿结构的多晶ZnS缓冲层薄膜,该薄膜具有宽的光学带隙、可见光区透射率高、表面平整度高、颗粒粒径小的特点,适合作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的无镉缓冲层薄膜。

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身份证
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