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一种窄带隙二维磁性薄膜异质结非制冷红外探测器
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2021104002913
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2021104002913 | 专利名称 | 一种窄带隙二维磁性薄膜异质结非制冷红外探测器 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L31/032(2006.01),H01L31/0232(2014.01),H01L31/0224(2006.01),H01L31/0352(2006.01),H01L31/113(2006.01),G01J5/20(2006.01) |
| 申请人 | 安徽大学 | 申请地址 | 230601安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号 |
| 发明人 | 龙明生;王瑞洁;单磊;李峰;韩涛 | 申请日期 | 2021-04-14 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-09-07 17:12:38 |
| 专利摘要 | 一种基于层状材料异质结的光电探测器，包括在衬底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，底面反射电极层，所述电极层置于所述衬底绝缘层上；异质结包括n‑型二维层状薄膜材料薄膜，p‑型二维层状薄膜材料薄膜层在上述n‑型二维层状薄膜材料薄膜层上，上述二维层状异质结置于所述底电极层上，其中异质结结区与底面反射电极层重合且紧密接触；顶电极层，所述顶电极层设置在所述p‑n结上方p‑型二维材料的一侧或部分区域；透明顶栅绝缘层，所述透明顶栅绝缘层覆盖在整个异质结器件正上方，透明顶栅绝缘层包括高介电材料如二氧化铪和PMMA；所述的透明顶栅电极设置在p‑n结正上方，包含石墨烯、ITO等透明材料。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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