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专利号	201910863823X	专利名称	基于Mg掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L31/0445,H01L31/072,H01L31/032,H01L31/18
申请人		申请地址	湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
发明人		申请日期	2019-09-12
下证状态	未知	更新时间	2026-09-07 17:12:38
专利摘要	本发明公开了基于Mg掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池，从下至上依次包括透明导电衬底、电子传输层、吸光层和金属电极，吸光层为Mg掺杂硫化锑薄膜；还公开了制备方法，包括：①清洗氧化物透明导电衬底并烘干；②电子传输层的制备；③吸光层的制备：将含Mg元素的硫化锑前驱体溶液旋涂于电子传输层上，加热生成Mg掺杂硫化锑；重复旋涂与加热反应步骤调节Mg掺杂硫化锑薄膜厚度；在惰性气体环境下退火使Mg掺杂硫化锑薄膜结晶得无机吸光层；④电极的制备。本发明的薄膜太阳能电池吸光性好、电池短路电流高、设备转化效率明显改善，Mg掺杂使薄膜更光滑、均匀、致密，减少载流子的复合；本发明的方法原料和工艺简单、设备要求低。

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