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一种二维二硫化钨薄膜的制备方法

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专利号 2019104627927 专利名称 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C30B29/46,C30B25/00
申请人 徐州新南湖科技有限公司 申请地址 江苏省徐州市云龙区汉源大道西绿地商务城LOFTC幢
发明人 吕燕飞 申请日期 2019-05-30
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-15 17:19:02
专利摘要 本发明公开了一种二维二硫化钨薄膜的制备方法,该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物,通过化学气相沉积法合成了WS2二维单分子/多分子层厚度的单晶材料,其中二硫化钨单晶形貌为三角形、六边形或枝形。本发明将硫代硫酸钠应用到CVD法中来制备WS2晶体材料,降低了化学气相沉积法生长二硫化钨二维薄膜的生长温度,薄膜制备重复性好、晶体结晶质量高。制备的WS2单晶为三角形,六边形和枝晶状,薄膜厚度为1~30个分子层厚度。  

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