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一种晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜及其制备方法

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专利号 2023106103142 专利名称 一种晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C23C14/16,C23C14/35,C22C23/06,C22C23/00
申请人 长安大学 申请地址 陕西省西安市碑林区南二环中段33号
发明人 虢婷 申请日期 2023-05-26
下证状态 未知 更新时间 2026-09-09 17:08:05
专利摘要 本发明公开了一种晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜及其制备方法和应用,包括多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层;多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层交替叠加,MgCuY非晶层中各元素的原子百分含量为Mg:80%‑90%,Cu:3%‑8%,Y:7%‑12%;MgCuY非晶层单层厚度为4±0.5nm,晶体Cu层单层厚度为40±2nm,多层膜的总厚度为1.04±0.02μm。大量的层间界面可以作为腐蚀物质和腐蚀裂纹的扩散屏障,有效提升了薄膜的耐腐蚀性。

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卖方 企业营业执照
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