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【半导体纳米材料，二硫化钼，芯片，电路板，集成电力，pcb板】提了11，一种离子插层剥离MoS2获得片状结构的方法（半导体纳米材料，二硫化钼，芯片，电路板，集成电力，pcb板）
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2023101063810
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2023101063810 | 专利名称 | 【半导体纳米材料，二硫化钼，芯片，电路板，集成电力，pcb板】提了11，一种离子插层剥离MoS2获得片状结构的方法（半导体纳米材料，二硫化钼，芯片，电路板，集成电力，pcb板） |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C01G39/06, B82Y40/00 |
| 申请人 | 赵秀风 | 申请地址 | 北京市昌平区科技园区振兴路36号院2号楼6层641室 |
| 发明人 | 赵秀风 | 申请日期 | 2023-02-13 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-07-26 10:26:06 |
| 专利摘要 | |||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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