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一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管及其制造方法
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2017114093556
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2017114093556 | 专利名称 | 一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管及其制造方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L29/08, H01L29/737, H01L21/331 |
| 申请人 | Chongqing University of Post and Telecommunications | 申请地址 | 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号 |
| 发明人 | 王冠宇;于明道;苗乃丹;宋琦;袁军;王巍 | 申请日期 | 2017-12-22 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-07-28 04:30:02 |
| 专利摘要 | |||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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