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一种2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜及其制备方法

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专利号 2016101878987 专利名称 一种2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C04B35/26
申请人 Beijing Zhichanhui Technology Co ltd 申请地址 陕西省西安市未央区大学园1号
发明人 谈国强;杨玮;晏霞;耶维;乐忠威;夏傲;任慧君 申请日期 2016-03-29
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-13 17:46:55
专利摘要 本发明提供了一种2‑2型BiFeO3‑CuFe2O4复合薄膜及其制备方法,先分别配制CuFe2O4前驱液和BiFeO3前驱液;然后在基片上旋涂制备多层CuFe2O4薄膜,再在CuFe2O4薄膜上旋涂制备多层BiFeO3薄膜,即得到BiFeO3‑CuFe2O4复合薄膜。本发明采用溶胶凝胶法,制备的薄膜均匀性好,且化学组分精确可控,将BiFeO3薄膜与强磁性尖晶石结构的CuFe2O4薄膜复合,得到的BiFeO3‑CuFe2O4复合薄膜的饱和磁化强度Ms为25.8emu/cm3,剩余磁化强度Mr为17.8emu/cm3;同时其介电损耗频谱出现符合麦克斯韦‑瓦格纳介电弛豫;薄膜的漏电流在正向偏压下存在一个电阻滞后现象。

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