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一种石墨烯硅基太阳能电池及其制造方法

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专利号 2014100811571 专利名称 一种石墨烯硅基太阳能电池及其制造方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L31/0224(2006.01),H01L31/18(2006.01),H01L31/04(2014.01)
申请人 申请地址 215500江苏省苏州市常熟市南三环路99号
发明人 申请日期 2014-03-06
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 09:36:14
专利摘要 本发明公开了一种石墨烯硅基太阳能电池,包括背电极,背电极上设置单晶硅片,单晶硅片上设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜,所述由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面还设有栅线电极。本发明还公开了该石墨烯硅基太阳能电池的制造方法。该石墨烯硅基异质结电池通过栅线电极调节石墨烯硅基肖特基结的势垒大小,降低硅表面的电荷复合效应,提高载流子分离和传输的效率,从而提高电池的光电转换效率,同时解决现有石墨烯硅基太阳能电池光电转换效率随器件尺寸增大而降低的问题。

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