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专利号	2010105707699	专利名称	提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用
专利类型	发明专利	国际分类	H01L33/00,H01L33/12,H01L33/26,H01L33/04
申请人	Changshu Intellectual Property Operation Center Co ltd	申请地址	山东省济南市高新区天辰大街1835号
发明人	曲爽;徐现刚;李毓锋;王成新;李树强	申请日期	2010-12-02
下证状态	已下证	更新时间	2026-07-10 15:07:51
专利摘要	本发明涉及一种提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用。使用掺镁的铟镓氮和掺镁的氮化镓的多周期重复结构来代替传统的P型掺镁氮化镓层，一方面利用铟镓氮和氮化镓的极化效应产生较高的载流子浓度，不需要再次进行氮气退火。另一方面利用铟镓氮和氮化镓的多周期重复结构产生的表面空洞实现表面粗化，提高了氮化镓发光二极管的发光效率。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件