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用于硅基底的氧化硅刻蚀模板的制备方法、硅基底及应用
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
201811355455X
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 201811355455X | 专利名称 | 用于硅基底的氧化硅刻蚀模板的制备方法、硅基底及应用 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L31/18,B23K26/362 |
| 申请人 | 苏州纳捷森光电技术有限公司 | 申请地址 | 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区NW02幢406房屋 |
| 发明人 | 揭建胜 | 申请日期 | 2018-11-14 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-05-27 09:22:03 |
| 专利摘要 | 本发明提供了用于硅基底的氧化硅刻蚀模板的制备方法，包括如下步骤：选择一预设图案，预设图案由像素矩阵构成，像素矩阵包括多个像素点组成，每个像素点对应一灰度值；将每个像素点对应的灰度值转化为与像素点位置对应的硅氧化层上单位区域的尺寸；根据所有单位区域的尺寸输出一矢量图形，矢量图形包含所有与预设图案的每个像素点对应的单位区域的形状与尺寸；将矢量图形输入至一激光打标机内，利用矢量图形引导激光打标机的激光束走向，从硅氧化层向硅层方向烧蚀，在硅氧化层上的多个单位区域形成与矢量图形对应的多个凹口，获得氧化硅刻蚀模板。本发明可以在不损失明显的光‑电转换的性能的前提下，在硅太阳能电池面板上描绘出任意的灰度图像。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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