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一种阵列交织型摩擦纳米发电机及其制备方法

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专利号 2021100169062 专利名称 一种阵列交织型摩擦纳米发电机及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H02N1/04(2006.01),B82Y30/00(2011.01),B82Y40/00(2011.01)
申请人 湖州师范学院 申请地址 313000 浙江省湖州市二环东路759号
发明人 吴璠 申请日期 2021-01-07
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 09:06:17
专利摘要 本发明公开了一种阵列交织型摩擦纳米发电机及其制备方法,本发明一种将p型半导体CuO纳米阵列与n型半导体ZnO纳米阵列直接相互叠加组成的纳米摩擦发电装置及其制备方法。当使用CuO纳米阵列与平面ZnO薄膜组成纳米摩擦发电装置,装置的电流密度Jsc为0.23 uA/cm2;当使用平面CuO薄膜与ZnO纳米阵列组成纳米摩擦发电装置,装置的电流密度Jsc为0.48 uA/cm2;与上述两种装置相比,当使用CuO纳米阵列与ZnO纳米阵列组成纳米摩擦发电装置装置的电流密度Jsc高达8 uA/cm2。可见,将p型半导体CuO纳米阵列与n型半导体ZnO纳米阵列直接相互叠加,极大的提高了CuO与ZnO的界面面积,使得CuO与ZnO的摩擦更加充分,产生的电子空穴浓度更丰富。

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