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一种全MOS管的基准参考电路
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2020113319947
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2020113319947 | 专利名称 | 一种全MOS管的基准参考电路 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | |
| 申请人 | 申请地址 | ||
| 发明人 | 申请日期 | 2020-11-24 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-05-27 09:03:56 |
| 专利摘要 | 本发明请求保护一种全MOS管的基准参考电路，包括启动电路、基准参考核心电路及电源抑制比提升电路等。本发明采用负反馈技术的电压调整器结构的电源抑制比提升电路为基准参考核心电路提供工作电源电压而不是外部电源VDD电压来提高基准参考电路输出电压的电源抑制比，基准参考核心电路采用MOS管阈值电压补偿技术来获得温度补偿的高性能参考电压，PMOS管MD1、PMOS管MD2、PMOS管MD3、PMOS管MD4及PMOS管MD5等均采用栅极与源极结构来补偿高温区的基准参考电路的漏电电流，从而实现一种全MOS管的基准参考电路。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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