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一种硅碳负极的制备方法

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专利号 2021101016100 专利名称 一种硅碳负极的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01M4/139,H01M4/36,H01M4/38,H01M4/583,H01M10/0525
申请人 蒋央芳 申请地址 浙江省台州市仙居县白塔镇东山头村52号
发明人 蒋央芳 申请日期 2021-01-26
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 08:51:38
专利摘要 本发明公开了一种硅碳负极的制备方法。将有机铁化合物与有机硅化合物混合研磨均匀后,放入到气氛炉内煅烧,煅烧过程通入惰性气体,反应得到固体料;将固体料加入盐酸溶液,在搅拌磨反应器中搅拌反应,经过过滤和洗涤,得到洗涤料;将洗涤料经过烘干后,放入到管式反应器内,先通入氮气,使得管式反应器内的氧气体积含量低于10ppm,然后将管式反应器的温度升高为1000‑1500℃,再通入甲烷气体,反应3‑10h,冷却后取出,经过气流粉碎、筛分、除铁,得到硅碳负极。本发明可以得到带有孔隙的掺杂硅碳以及碳包覆的双重结构,可以有效的抑制硅碳负极的体积膨胀,性能更加优越。

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