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专利号	2014100510080	专利名称	一种碳改性CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>高介电材料的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L41/187(2006.01),C04B35/465(2006.01),C04B35/626(2006.01)
申请人		申请地址	213164江苏省常州市武进区滆湖路1号
发明人		申请日期	2014-02-14
下证状态	未知	更新时间	2025-05-27 08:29:01
专利摘要	本发明涉及CCTO介电材料，特指一种碳改性CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>高介电材料的制备方法。本发明采用溶胶-凝胶法制备CCTO纳米粉体，并以其为原料制备碳改性的CCTO粉体及陶瓷；碳作为一种晶粒拟制剂，在烧结过程中影响界面能，进而阻止晶粒的异常长大，得到晶粒分布更为均匀致密性更好的CCTO陶瓷，通过改变碳的量来制备不同晶粒尺寸的陶瓷；实验结果发现碳改性的CCTO陶瓷具有良好的烧结性能，经过1000℃烧结6小时后的陶瓷具有更低的介电损耗。

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	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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