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专利号	202111009384X	专利名称	一种锡掺杂氧化铟纳米阵列及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C03C17/23(2006.01),G03F7/20(2006.01),H01L21/02(2006.01)
申请人		申请地址	710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号
发明人		申请日期	2021-08-31
下证状态	未知	更新时间	2025-05-27 08:11:25
专利摘要	本发明公开的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，具体为：步骤1，配制锡掺杂氧化铟感光溶胶；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，烘烤；步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进行双光束曝光；步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片继续烘烤，步骤6，将烘烤后的基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃下退火处理。该方法能够解决当前这种薄膜纳米阵列化加工工艺复杂、成本高、刻蚀缓慢以及精度差的问题。还公开有上述方法制备得到的锡掺杂氧化铟纳米阵列。

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