发明专利
专利类型未知
专利状态2018101963762
专利号专利号 | 2018101963762 | 专利名称 | 一种Co掺杂MoS |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | |
申请人 | 三峡大学 | 申请地址 | 湖北省宜昌市大学路8号 |
发明人 | 黄妞 | 申请日期 | 2018-03-09 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-05-27 08:10:58 |
专利摘要 | 本发明提供一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法,具体制备方法为:钴盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂中,获得Co‑Mo前躯液;上述前躯液涂布到基底上,干燥后在Ar+S气氛中或N2+S气氛中,CVD硫化。硫化反应温度为600~800℃,反应时间为10 min~2 h。本发明的技术方案可用于电解水制氢和染料敏化太阳能电池,对于原位电极的批量生产有重大意义。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
专利状态:未知
专利类型:发明专利
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专利类型:实用新型
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