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一种Co掺杂MoS
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2018101963762
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2018101963762 | 专利名称 | 一种Co掺杂MoS |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | |
| 申请人 | 三峡大学 | 申请地址 | 湖北省宜昌市大学路8号 |
| 发明人 | 黄妞 | 申请日期 | 2018-03-09 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-05-27 08:10:58 |
| 专利摘要 | 本发明提供一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，具体制备方法为：钴盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂中，获得Co‑Mo前躯液；上述前躯液涂布到基底上，干燥后在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，CVD硫化。硫化反应温度为600~800℃，反应时间为10 min~2 h。本发明的技术方案可用于电解水制氢和染料敏化太阳能电池，对于原位电极的批量生产有重大意义。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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