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一种Co掺杂MoS

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专利信息

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专利号 2018101963762 专利名称 一种Co掺杂MoS
专利类型 发明专利 国际分类
申请人 三峡大学 申请地址 湖北省宜昌市大学路8号
发明人 黄妞 申请日期 2018-03-09
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 08:10:58
专利摘要 本发明提供一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法,具体制备方法为:钴盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂中,获得Co‑Mo前躯液;上述前躯液涂布到基底上,干燥后在Ar+S气氛中或N2+S气氛中,CVD硫化。硫化反应温度为600~800℃,反应时间为10 min~2 h。本发明的技术方案可用于电解水制氢和染料敏化太阳能电池,对于原位电极的批量生产有重大意义。  

交易流程

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买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
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专利证书
手续合格通知书
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买方 企业营业执照
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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
专利证书原件

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