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一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法

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  • 2018101951356

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专利号 2018101951356 专利名称 一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类
申请人 三峡大学 申请地址 湖北省宜昌市大学路8号
发明人 黄妞 申请日期 2018-03-09
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 08:10:54
专利摘要 本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法,将生长有四氧化三钴阵列的基底,于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化,获得硫化钴纳米针阵列电极;将氯化钼溶于挥发非水溶剂,并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面,干燥待用;再将步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中,经第二次硫化,随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极。  

交易流程

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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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