发明专利
专利类型未知
专利状态2018101951356
专利号专利号 | 2018101951356 | 专利名称 | 一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | |
申请人 | 三峡大学 | 申请地址 | 湖北省宜昌市大学路8号 |
发明人 | 黄妞 | 申请日期 | 2018-03-09 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-05-27 08:10:54 |
专利摘要 | 本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法,将生长有四氧化三钴阵列的基底,于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化,获得硫化钴纳米针阵列电极;将氯化钼溶于挥发非水溶剂,并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面,干燥待用;再将步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中,经第二次硫化,随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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专利类型:实用新型
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