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一种双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法

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专利号 2018113202654 专利名称 一种双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01M4/88(2006.01),H01M4/90(2006.01)
申请人 三峡大学 申请地址 443002湖北省宜昌市西陵区大学路8号
发明人 黄妞 申请日期 2018-11-07
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 08:10:53
专利摘要 本发明提供一种双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法,利用电沉积与空气气氛退火制备片状四氧化三钴阵列原位电极,再用电沉积或化学浴交替反应法在四氧化三钴表面生长聚苯胺后于保护气氛下退火反应,其中聚苯胺在保护气氛下形成氮掺杂的碳材料,同时使得四氧化三钴还原为一氧化钴。本发明的技术方案得到的产品,由于构筑了多种高电催化活位点,包括碳材料中氮掺杂活性位点以及由此引起的其它晶格缺陷和一氧化钴,具有优异的电催化氧还原反应(ORR)性能;一氧化钴具有较好的电催化氧析出反应(OER)性能;此外一氧化钴与碳材料与强界面耦合效应形成的界面亦具有优异的电催化析氧反应和氧还原反应性能。

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