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专利号	201910983997X	专利名称	一种原位缺陷修饰Co9S8-多孔氮掺杂碳电极的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01M4/96(2006.01),H01M4/88(2006.01),H01M12/06(2006.01)
申请人	三峡大学	申请地址	443002 湖北省宜昌市西陵区大学路8号
发明人	黄妞	申请日期	2019-10-16
下证状态	未知	更新时间	2025-05-27 08:10:52
专利摘要	本发明提供一种原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极的制备方法，将钴盐、Tx‑100和苯胺等含碳有机物溶于挥发非水溶剂，并加入硫脲作为硫源，获得Co‑C‑S前躯液；上述前躯液涂布到碳基底上，干燥后先在Ar或N2气流中退火得到原位硫化钴‑碳电极，然后将原位硫化钴电极继续在双氰胺气流下CVD煅烧退火，最终形成原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极。本发明技术方案得到的产品具有设备要求低、所需原料成本低廉、反应条件易于控制、生产工艺简单、所形成的产品一致性好，环境污染小等多个优点，可用于OER和ORR的多功能电催化剂。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
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