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一种硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法

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专利号 2018113202245 专利名称 一种硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01M4/88(2006.01),H01M4/90(2006.01)
申请人 三峡大学 申请地址 443002湖北省宜昌市西陵区大学路8号
发明人 黄妞 申请日期 2018-11-07
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 08:10:52
专利摘要 本发明提供一种双功能的硫掺杂氧化钴与硫、氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法,利用电沉积与空气气氛退火制备片状氧化钴阵列原位电极,将含硫脲与曲拉通的前躯液负载至氧化钴阵列原位电极表面,干燥后保护气氛下退火反应。本发明的技术方案得到的产品,由于构筑了多种高电催化活位点,包括碳材料中硫、氮、氧掺杂活性位点以及由此引起的其它晶格缺陷、碳材料与氧化钴强耦合界面、硫掺杂氧化钴形成的缺陷位点等,使得其具有优异的析氧反应和氧还原反应双功能催化功能,这种性能优异的双功能电催化剂具有用于燃料电池和锌空电池的潜能。

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卖方 企业营业执照
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