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专利号	2020113352485	专利名称	一种碳量子点/介孔层状二氧化钛及其制备方法和应用
专利类型	发明专利	国际分类	B01J21/18(2006.01),B01J35/02(2006.01),B01J35/10(2006.01),C02F1/30(2006.01),C02F101/30(2006.01)
申请人	内江师范学院	申请地址	641100 四川省内江市东桐路705号
发明人	张理元	申请日期	2020-11-25
下证状态	未知	更新时间	2025-01-14 07:34:33
专利摘要	本发明公开了一种碳量子点/介孔层状二氧化钛及其制备方法和应用，属于二氧化钛制备技术领域，通过水热法制备碳量子点，以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为形貌控制剂，通过沉淀‑胶溶法制备出介孔层状二氧化钛粉末（CTAB‑TiO2），将碳量子点与其复合得到碳量子点/介孔层状二氧化钛（CQDs/CTAB‑TiO2），其可与有机污染物形成的共轭π键作用，提高对有机污染物的吸附效果与光催化性能，可有效解决传统方法中的制备工艺复杂、耗能高的问题，且进一步拓展了二氧化钛的实际应用范围。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
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