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一种ZnO纳米柱/SnO

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专利号 2018114880359 专利名称 一种ZnO纳米柱/SnO
专利类型 发明专利 国际分类 G01N 27/00 (2006.01),G01J 1/42 (2006.01),C01G 9/02 (2006.01),C01G 19/02 (2006.01),B82Y 15/00 (2011.01),B82Y 30/00 (2011.01)
申请人 中建八局检测科技有限公司 申请地址 北京市房山区西潞街道长虹西路73号1幢2层202
发明人 申请日期 2018-12-06
下证状态 未知 更新时间 2025-01-14 07:28:14
专利摘要 本发明提供一种ZnO纳米柱/SnO<subgt;2</subgt;薄膜探测器以及制备方法,该探测器从下至上依次包括衬底层、SnO<subgt;2</subgt;薄膜层、嵌入SnO<subgt;2</subgt;薄膜层的ZnO纳米柱,以及包覆在SnO<subgt;2</subgt;薄膜层、ZnO纳米柱上的Pt量子点和设置在两端的电极,该探测器的响应时间为5‑10s,能够同时对乙醇、CO、NO气体进行探测,探测极限为5‑10ppm。本发明适用范围广,可以在多种衬底上制备ZnO纳米柱/SnO<subgt;2</subgt;薄膜探测器,本发明制备的探测器同时含有ZnO和SnO<subgt;2</subgt;两种有效探测材料体系,具有双波段选择性光探测或同时对两种特殊的气体进行选择性检测;该探测器同时包含有ZnO纳米柱阵列和SnO<subgt;2</subgt;多孔薄膜,有利于提高探测的灵敏度。

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卖方 企业营业执照
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身份证
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