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一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2019109410038
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2019109410038 | 专利名称 | 一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L21/18(2006.01),H01L21/306(2006.01) |
| 申请人 | 申请地址 | ||
| 发明人 | 柯少颖 | 申请日期 | 2019-09-30 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-14 07:03:02 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法，其是将Ge片和SOI片经表面处理后，分别在其上溅射一层a‑Ge薄膜，然后在大气中将两者进行贴合，放入退火炉中进行低温热退火，以实现高强度Ge/SOI的键合，再采用化学腐蚀结合化学机械抛光对键合的Ge片进行减薄抛光，以获得超高质量SOI基键合Ge薄膜。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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