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一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法(高校,特色工艺半导体,IC封装与先进封装,‌印制电路板(PCB)与精细电子元器件)

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专利号 2016102831140 专利名称 一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法(高校,特色工艺半导体,IC封装与先进封装,‌印制电路板(PCB)与精细电子元器件)
专利类型 发明专利 国际分类 G03F1/80, G03F1/68
申请人 岭南师范学院 申请地址
发明人 莫远东 申请日期 2016-05-03
下证状态 已下证 更新时间 2026-07-13 17:51:14
专利摘要 本发明涉及一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法,所述方法具体包括如下步骤:S1:在基板上涂覆第一层光刻胶,在所述光刻胶上覆盖一层金属箔片,在所述金属箔片上涂覆第二层光刻胶;S2:对第一、二层光刻胶进行前烘处理,借助掩膜板对第二层光刻胶进行曝光和显影;对第二层光刻胶进行后烘处理;S3:对所述金属箔片进行蚀刻,然后对第一层光刻胶进行曝光和显影,再对第一层光刻胶进行后烘处理即得精密芯片模具光刻掩膜。本发明提供的制备方法制备得到的光刻掩膜的最低线宽不低于20um,光刻胶厚度可以达到200um~300um,所得光刻掩膜能满足精密芯片加工制作的要求。

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